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                            首頁 > 產品中心 > 失效分析>驗證服務解決方案 > 失效分析第三代半導體可靠性驗證與評價可加急檢測

                            第三代半導體可靠性驗證與評價可加急檢測

                            簡要描述:

                            第三代半導體作為一種理想的半導體材料,在新一代信息技術、新基建等領域得到了愈發廣泛的應用。對于國內企業而言,要獲取市場信任,檢測是證明第三代半導體質量與可靠性的可行手段,同時也是提高其質量可靠性的重要保障。廣電計量第三代半導體可靠性驗證與評價可加急檢測特意推出第三代半導體可靠性驗證與評價服務,助力企業產品高效發展。

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                            更新日期:2023-05-31

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                            第三代半導體可靠性驗證與評價可加急檢測
                            品牌廣電計量加工定制
                            服務區域全國服務周期常規3-5天
                            服務類型元器件篩選及失效分析服務資質CMA/CNAS認可
                            證書報告中英文電子/紙質報告增值服務可加急檢測
                            是否可定制是否有發票

                            第三代半導體可靠性驗證與評價可加急檢測服務背景

                            在第三代半導體的代表中,碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)目前是技術較為成熟的材料,優越的性能使其在新一代運動通信、新能源并網、智能電網、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領域具有廣泛的應用前景。SiC、GaN器件憑借杰出的系統性能,給許多應用帶來更高的效率和功率密度,以及更低的系統成本。然而,與所有的新技術一樣,SiC、GaN器件必須全面嚴格地遵循技術開發和產品質量檢驗程序。


                            第三代半導體可靠性驗證與評價可加急檢測服務內容

                            廣電計量圍繞JEDEC系列標準,從三方面進行技術能力布局:

                            1、識別潛在的失效模式和失效機制,并根據目標壽命設計確認測試;

                            2、將樣品置于適當的可靠性應力下,以加速激發潛在的失效機制;

                            3、完成加速應力后,對樣品進行測試,以確定其性能是否仍可接受。

                            針對SiC分立器件和模塊,廣電計量參照JEDEC、AECQ101AQG324標準進行檢測驗證,能力不僅覆蓋用于驗證傳統Si器件長期穩定性的所有方法,還開發了針對SiC器件不同運行模式的特定試驗,見表1。

                            1 SiC器件特定可靠性試驗

                            試驗

                            試驗條件

                            HV-H3TRB

                            VDS=0.8VDSmax,Ta=85°C, RH=85%,t≥1000h

                            HTRB和負電壓

                            VDS=VDSmax,Tvj=175°C,VG =-10 V,t≥1000h

                            動態H3TRB

                            VDS>0.5VDSmax,dVDS/dt(at DUT)>30V/ns, 15kHz≤f≤25 kHz,Ta=85°C, RH = 85%,t≥1000h

                            動態反向偏壓(DRB)

                            VDS≥0.8VDSmax,dVDS/dt (at DUT)=50V/ns,f ≥25 kHz,Ta= 25°C,t≥1000h

                            動態柵偏(DGS)

                            次數≥1011,dVGS/dt =1 V/ns,f ≥50 kHz,VGSoff= VGSmin和VGSon= VGSmax,Ta=25°C

                            HTFB

                            SiC體二極管雙極退化

                            CaN器件的質量及可靠性驗證以JEDECAECQ101為基準進行,見表2,并針對GaN器件和Si基器件之間的差異實施表3試驗。

                            2 通用可靠性試驗

                            試驗

                            試驗條件

                            HTRB

                            Tj=150°C, VDS=0.8 VDSmax,t≥1000h

                            HTGB

                            Tj=150°C,VGS=±100%,t≥1000h

                            H3TRB

                            Tj=85°C,RH=85%,VDS=0.8 VDSmax,t≥1000h

                            TC

                            -40°C to +125°C,≥1000cycles

                            HTS

                            Ta=150°C,t≥1000h

                            IOL

                            DTj=100°C,2min on,2min off,≥5k cycles

                            ESD

                            HBM+CDM

                            MSL3

                            Ta=60°C,RH=60%,t=40h,3x reflow cycles

                            3 CaN器件特定試驗

                            試驗

                            試驗標準

                            開關加速耐久試驗

                            JEP122,JEP180

                            動態高溫工作壽命

                            動態Rdon測試

                            JEP173

                            持續開關測試

                            JEP182

                             


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